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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利磁性随机存储阵列及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010333744.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁性随机存储阵列及半导体器件是由吴巍;徐征设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁性随机存储阵列及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁性随机存储阵列及半导体器件，在占用相同衬底面积前提下，通过相邻两行有源区之间的交错排布，有效地利用了空间，实现了更小的存储单元的特征尺寸，整体密度更高，芯片成本更低。进一步地，可以实现单元面积为8F2F为特征尺寸的密堆积存储阵列，提高存储密度和器件集成度。此外，可以使得源线和位线均与字线相交且不垂直，由此使得同一行同一列上的相邻的有源区所对应的存储单元不共享同一条位线，由此，可以降低相邻存储单元之间的干扰，提高器件性能。

本发明授权磁性随机存储阵列及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种磁性随机存储阵列，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有按行和列排布成阵列的多个有源区，且相邻两行所述有源区交错排布；多条字线，形成在所述半导体衬底上，且每条所述字线沿列方向延伸并跨设在同一列的多个所述有源区上，每条所述字线将相应的所述有源区分为源极区和漏极区；多条源线，每条所述源线通过第一金属层形成并连接相应的所述源极区；多个磁性隧道结，每个所述磁性隧道结底部通过相应的第二金属层连接相应的所述漏极区，顶部连接第三金属层，所述第三金属层用于形成相应的位线；其中，所述源线和所述位线均与所述字线异面相交且不垂直，且同一行上和同一列上的相邻两个存储单元均不共享所述位线和所述源线。

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