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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括隔离区的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109560037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810710445.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权包括隔离区的半导体器件是由宣敏喆;河大元;黄东勳;白种和;田钟珉;河承模;梁光容;朴栽永;丁英洙设计研发完成，并于2018-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括隔离区的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。

本发明授权包括隔离区的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一有源区，在第一水平方向上彼此紧邻；第二有源区，在所述第一水平方向上彼此紧邻；第一隔离区，位于所述第一有源区之间；以及第二隔离区，位于所述第二有源区之间，其中所述第一隔离区包括含有第一绝缘材料的第一部分和含有第二绝缘材料的第二部分，所述第二绝缘材料具有的特性与所述第一绝缘材料的特性不同，其中所述第二部分具有彼此相对的侧表面，其中所述第二部分的所述侧表面接触所述第一部分，其中所述第一有源区和所述第二有源区中的每一者具有在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸的线性形状，以及其中所述第一隔离区的在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二隔离区的在所述第一水平方向上的宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。