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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108511428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710337464.5，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体装置及其制造方法是由李文古;杜旺朱;易吉寒设计研发完成，并于2017-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置及其制造方法。本发明公开了一种半导体装置包括：第一基板；第一金属柱，其在所述第一基板的第一侧上；第一半导体晶粒，其耦合到所述第一基板的所述第一侧；第二金属柱，其在所述第一金属柱上；第二半导体晶粒，其耦合到所述第一半导体晶粒；第二基板，其在所述第二金属柱上和所述第二半导体晶粒上；以及囊封材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间且至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒中的每一个的一侧。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：第一基板，其不具主动电子装置且包括：第一基板顶侧；第一基板底侧；第一信号分布层；以及第一介电层；第一金属柱，其在所述第一基板顶侧上；第一半导体晶粒，包括：第一晶粒底侧，其包括作用晶粒侧；第一晶粒顶侧；以及导电凸块，其在所述第一晶粒底侧上，所述导电凸块直接耦合到所述第一基板顶侧；第二金属柱，其在所述第一金属柱上，其中所述第二金属柱的底端连接到所述第一金属柱的顶端；第二半导体晶粒，包括：第二晶粒顶侧，其包括作用晶粒侧；以及第二晶粒底侧，其耦合到所述第一晶粒顶侧，使得在所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒之间没有中间基板；第二基板，其在所述第二金属柱的顶端上和所述第二晶粒顶侧上；以及囊封材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间，其中所述囊封材料至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒中的每一个的横向侧，以及所述囊封材料接触且覆盖所述第一基板的所述第一介电层。

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