买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜意法半导体国际公司申请的专利电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222302315U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420623231.7，技术领域涉及：H10N52/80；该实用新型电子器件是由R·蒂齐亚尼;F·德维蒂设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子器件在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及电子器件。电子器件包括一种绝缘包封物，包封半导体管芯，该半导体管芯具有集成的霍尔电流传感器，该霍尔电流传感器被配置为测量在半导体管芯的有源表面附近流动的电流。导电迹线被嵌入在绝缘包封物中。第一导电构造穿过绝缘包封物朝向导电迹线的相对端部延伸。第一导电构造被配置为使经受测量的电流在穿过导电迹线的电流流动路径中流动。第二导电构造穿过绝缘包封物朝向半导体管芯的有源表面延伸。第二导电构造被配置为激活集成在半导体管芯中的霍尔电流传感器。

本实用新型电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，其特征在于，包括：绝缘包封物，包封半导体管芯，其中所述半导体管芯中集成有霍尔电流传感器，所述霍尔电流传感器被配置为测量在所述半导体管芯的有源表面附近流动的电流；导电迹线，被嵌入在所述绝缘包封物中，所述导电迹线具有相对端部，在所述相对端部之间设置有与所述半导体管芯的所述有源表面相邻的电流流动路径；第一导电构造，穿过所述绝缘包封物朝向被嵌入在所述绝缘包封物中的所述导电迹线的所述相对端部，所述第一导电构造被配置为使经受测量的电流在与所述半导体管芯的所述有源表面相邻的所述电流流动路径中流动；以及第二导电构造，穿过所述绝缘包封物朝向所述半导体管芯的所述有源表面，所述第二导电构造被配置为激活被集成在所述半导体管芯中的所述霍尔电流传感器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士日内瓦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。