买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109768056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-12-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810142045.0，技术领域涉及：H01L27/146；该发明授权图像传感装置的形成方法是由郑允玮;周俊豪;李国政;黄薰莹设计研发完成，并于2018-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感装置的形成方法在说明书摘要公布了：提供图像传感装置的形成方法，包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面，且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中，并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。

本发明授权图像传感装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感装置的形成方法，包括：形成一第一沟槽于一基板中，其中该基板具有一正面与一背面，且该第一沟槽自该正面延伸至该基板中；形成一第一隔离结构于该第一沟槽中，其中形成该第一隔离结构的步骤包括：形成一蚀刻停止层于该第一沟槽的下表面上；以及形成一第一绝缘层于该第一沟槽中及该蚀刻停止层上，其中该蚀刻停止层、该第一绝缘层、与该基板由不同材料组成，且该蚀刻停止层与该第一绝缘层一起形成该第一隔离结构；形成一光传感区于该基板中，其中该第一隔离结构围绕该光传感区；形成一第二沟槽于该基板中，其中该第二沟槽自该背面延伸至该基板中，并露出该第一隔离结构的该蚀刻停止层；以及形成一第二隔离结构于该第二沟槽中，其中该第二隔离结构包括一光阻挡结构以吸收或反射入射光。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。