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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109755176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-12-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810272577.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置结构的形成方法是由郑志成;程世伟;张澐;蒋振劼;郑宗期设计研发完成，并于2018-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置结构的形成方法在说明书摘要公布了：提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在介电层上方形成第一遮罩层，第一遮罩层具有沟槽，沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二遮罩层。此方法包含移除覆盖底表面的第二遮罩层，以在第二遮罩层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方，留下的第二遮罩层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩层和第二遮罩层，以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。

本发明授权半导体装置结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一介电层上方形成一第一遮罩层，其中该第一遮罩层具有一第一沟槽，且该第一沟槽具有一内壁和一底表面；在该第一遮罩层的一顶表面上形成一抗轰击层，且于该内壁上形成该抗轰击层；在该第一沟槽中形成一第二遮罩层，其中该第二遮罩层与该抗轰击层由不同材料形成；移除覆盖该底表面的该第二遮罩层，以在该第二遮罩层中形成一第二沟槽，其中该第二沟槽暴露出该底表面且在该介电层的一第一部分上方，且留下的该第二遮罩层覆盖该内壁；移除该第一部分、该第一遮罩层、该抗轰击层和该第二遮罩层，以在该介电层中形成一第三沟槽；以及在该第三沟槽中形成一导电结构。

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