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龙图腾网恭喜海威半导体(南通)有限公司申请的专利一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111048636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911336526.6，技术领域涉及：H01L33/14；该发明授权一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法是由孙智江;王书昶;冯源;穆久涛;张哲设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3层、Ga2O3GaN量子阱有源区、p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层、p型Ga2O3层和氧化铟锡透明导电层，在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，在n型Ga2O3层上引出n型欧姆电极。本发明的优点在于：由于p型AlNGa2O3超晶格结构具有高吸收系数、高横向载流子迁移率，对载流子具有强的量子限制效应，作为电子阻挡层能够有效抑制电子溢出有源区；另外，采用p型Ga2O3层，能够极大地增加p型区的空穴浓度，降低空穴激活能，提高空穴注入效率，从而提高载流子在有源区的复合效率。

本发明授权一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓基紫外发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3层、Ga2O3GaN量子阱有源区、p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层、p型Ga2O3层和氧化铟锡透明导电层，在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，在n型Ga2O3层上引出n型欧姆电极；所述蓝宝石衬底为r面、m面或a面中的任意一种蓝宝石衬底；所述AlN成核层的厚度为5-50nm，Ga2O3缓冲层的厚度为300-2000nm，n型Ga2O3层的厚度为400-1000nm，Ga2O3GaN量子阱有源区的周期数为10-25对，p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层的厚度为10-100nm，p型Ga2O3层的厚度为80-200nm；所述n型Ga2O3层中，采用Si进行n型掺杂，其中Si的掺杂浓度介于1×1018至1×1020cm-3之间；所述Ga2O3GaN量子阱有源区与p型Ga2O3层之间用p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层隔开；所述p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层中，超晶格的重复周期数为5-20对；所述p型Ga2O3层中，采用Mg进行掺杂，其中Mg的掺杂浓度介于1×1018至1×1020cm-3之间；所述的氧化镓基紫外发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底上生长一层AlN成核层；步骤2：在AlN成核层上生长一层Ga2O3缓冲层；步骤3：在Ga2O3缓冲层上生长一层n型Ga2O3层；步骤4：在n型Ga2O3层上生长一层Ga2O3GaN量子阱有源区；步骤5：在Ga2O3GaN量子阱有源区上生长一层p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层；步骤6：在p型AlNGa2O3超晶格结构电子阻挡层上生长一层p型Ga2O3层；步骤7：p型Ga2O3层上生长一层氧化铟锡透明导电层；步骤8：在氧化铟锡透明导电层上进行台面刻蚀，露出n型Ga2O3层；步骤9：在氧化铟锡透明导电层上蒸镀p型NiAuNiAu欧姆电极，并且对电极进行退火处理；步骤10：在n型Ga2O3层台面上蒸镀n型TiAlTiAu欧姆电极，并且对电极进行退火处理。

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