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龙图腾网恭喜中科意创(广州)科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221783216U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420270636.7，技术领域涉及：H01L29/78；该实用新型一种功率半导体器件是由高秀秀;於挺;任广辉设计研发完成，并于2024-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件，包括器件主体、栅电极、第一栅极绝缘介质层、第二栅极绝缘介质层、源极金属、漏极金属和栅极金属。器件主体上部设置有以第一方向为深度方向，且沿第二方向延伸的沟槽。沟槽沿第二方向的两侧均设置有栅电极。栅电极与沟槽槽底之间以及栅电极与沟槽侧壁之间均设置有第一栅极绝缘介质层。栅电极的顶面以及栅电极未设置有第一栅极绝缘介质层的侧壁上均设置有第二栅极绝缘介质层。源极金属底端延伸至沟槽的槽底，且与p型保护区欧姆接触，n型源区和p型源区均与源极金属接触，第二栅极绝缘介质层分隔源极金属与栅电极。

本实用新型一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：器件主体，其上部设置有以第一方向为深度方向，且沿第二方向延伸的沟槽100，所述器件主体包括n型衬底1、n型缓冲层2、n型漂移区3、p型基区5、n型源区6、p型源区7和p型保护区8；所述n型衬底1、所述n型缓冲层2和所述n型漂移区3沿所述第一方向自下而上依次设置，所述沟槽100底部位于所述n型漂移区3内，所述沟槽100将所述n型漂移区3的上部分隔为左漂移区和右漂移区，所述左漂移区和所述右漂移区上方均设置有所述p型基区5，各所述p型基区5上方均设置有所述n型源区6和所述p型源区7，所述n型漂移区3上设置有环绕所述沟槽100底部的p型保护区8；栅电极10，所述沟槽100沿所述第二方向的两侧均设置有所述栅电极10；第一栅极绝缘介质层9，所述栅电极10与沟槽100槽底之间以及所述栅电极10与所述沟槽100侧壁之间均设置有所述第一栅极绝缘介质层9；第二栅极绝缘介质层11，所述栅电极10的顶面以及所述栅电极10未设置有第一栅极绝缘介质层9的侧壁上均设置有所述第二栅极绝缘介质层11；源极金属12，其底端延伸至所述沟槽100的槽底，且与所述p型保护区8欧姆接触，所述n型源区6和所述p型源区7均与所述源极金属12接触，所述第二栅极绝缘介质层11分隔所述源极金属12与所述栅电极10；漏极金属13，其设置于所述n型衬底1的底面上；栅极金属，其设置于所述栅电极10上。

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