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龙图腾网恭喜佛山市奥新电子有限公司申请的专利一种锂电池防反接保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221783888U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323561539.8，技术领域涉及：H02J7/00；该实用新型一种锂电池防反接保护电路是由杨冠中;徐路路设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锂电池防反接保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种锂电池防反接保护电路，属于充电电池技术领域，MOS管Q3的源极与充电管理芯片的输出端电连接，源极与栅极电连接，栅极接地，漏极与锂电池的第一端电连接，锂电池的第二端接地；锂电池的第一端与中央处理芯片电连接，中央处理芯片与三极管Q1的基极电连接，发射极与5V电压输出口电连接，集电极与三极管Q2的基极电连接，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的集电极与MOS管Q5的栅极电连接，栅极和锂电池的第一端电连接，漏极和锂电池的第一端电连接，源极与后端负载的第一端电连接，后端负载的第二端接地。所述锂电池防反接保护电路解决了电池反接会导致充电管理芯片和后端负载烧坏的问题。

本实用新型一种锂电池防反接保护电路在权利要求书中公布了：1.一种锂电池防反接保护电路，其特征在于：包括充电管理芯片、防反接模块、后端负载和中控模块；电源输入正极与所述充电管理芯片的正极输入端电连接，电源输入负极与所述充电管理芯片的负极输入端电连接，所述电源输入负极接地；所述防反接模块包括P型MOS管Q3和P型MOS管Q5，所述中控模块包括中央处理芯片、PNP三极管Q1和NPN三极管Q2；所述P型MOS管Q3的源极与所述充电管理芯片的输出端电连接，所述P型MOS管Q3的源极与P型MOS管Q3的栅极电连接，所述P型MOS管Q3的栅极接地，所述P型MOS管Q3的漏极与锂电池的第一端电连接，所述锂电池的第二端接地；所述锂电池的第一端还与中央处理芯片的电源输入端电连接，所述中央处理芯片的输出IO口与所述PNP三极管Q1的基极电连接，所述PNP三极管Q1的发射极与5V电压输出口电连接，所述PNP三极管Q1的集电极与NPN三极管Q2的基极电连接，所述NPN三极管Q2的发射极接地，所述NPN三极管Q2的集电极与所述P型MOS管Q5的栅极电连接，所述P型MOS管Q5的栅极和锂电池的第一端电连接，所述P型MOS管Q5的漏极和锂电池的第一端电连接，所述P型MOS管Q5的源极与后端负载的第一端电连接，所述后端负载的第二端接地。

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