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龙图腾网恭喜杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221777984U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323667728.3，技术领域涉及：C23C14/56；该实用新型一种气相沉积装置是由葛昕;花蔚蔚;单文豪设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气相沉积装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种气相沉积装置，气相沉积装置包括气相沉积室、移载组件、顶升组件及预沉积机构，移载组件邻设于气相沉积室，顶升组件连接于气相沉积室，顶升组件用于接收移载组件所移载的目标工件，预沉积机构包括驱动组件及试验件，试验件收纳于贮藏腔，驱动组件连接于气相沉积室，驱动组件用于驱动试验件由贮藏腔移动至气相沉积腔内；如此，将驱动组件将试验件移离气相沉积腔的动作和移载组件将目标工件移入气相沉积腔的动作同步进行，以便于降低目标工件在气相沉积腔外等待的时间，有利于保持目标工件的温度的稳定性，而且，缩短了目标工件气相沉积的作业时间，从而提高了气相沉积装置的加工质量及加工效率。

本实用新型一种气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积装置，其特征在于，所述气相沉积装置包括：气相沉积室，内设有气相沉积腔及贮藏腔，所述气相沉积腔内设有气相沉积区，所述气相沉积室用于对位于所述气相沉积区的目标工件进行沉积镀膜；移载组件，邻设于所述气相沉积室并用于移载所述目标工件至所述气相沉积腔内；顶升组件，连接于所述气相沉积室且所述顶升组件的一部分设于所述气相沉积室内，所述顶升组件用于接收所述移载组件所移载的所述目标工件，并顶升所述目标工件至所述气相沉积区；预沉积机构，包括驱动组件及试验件，所述试验件收纳于所述贮藏腔，所述驱动组件连接于所述气相沉积室且所述驱动组件的一部分设于所述气相沉积室内，所述驱动组件用于驱动所述试验件由所述贮藏腔移动至所述气相沉积腔内，并顶升所述试验件至所述气相沉积区。

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