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龙图腾网恭喜中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利单晶硅生长炉及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115506017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211341782.6，技术领域涉及：C30B27/02；该发明授权单晶硅生长炉及其控制方法是由陈俊宏设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶硅生长炉及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶硅生长炉及其控制方法，单晶硅生长炉包括第一壳体、第二壳体、坩埚组件、加热组件、保温组件、第一驱动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，第二壳体罩设于第一壳体外，且与第一壳体之间形成安装腔，坩埚组件设于晶体生长室，加热组件设于安装腔，保温组件设于安装腔且罩设于加热组件外，第一驱动机构设在第一壳体的底部以支撑和驱动第一壳体相对第二壳体转动，晶体提拉机构固设于隔离室内且适于跟随第一壳体同步转动，保护气连接管穿设于隔离室且连通至拉晶室。根据本发明实施例的单晶硅生长炉，可以延长加热组件的使用寿命，且便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。

本发明授权单晶硅生长炉及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅生长炉，其特征在于，包括：第一壳体，所述第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，所述拉晶室连通于所述晶体生长室的顶侧，所述隔离室连通于所述拉晶室的顶侧；第二壳体，所述第二壳体罩设于所述第一壳体外，且与所述第一壳体之间形成安装腔；坩埚组件，所述坩埚组件设于所述晶体生长室；加热组件，所述加热组件设于所述安装腔且用于对所述坩埚组件加热；保温组件，所述保温组件设于所述安装腔且罩设于所述加热组件外；第一驱动机构，所述第一驱动机构设在所述第一壳体的底部以支撑和驱动所述第一壳体相对所述第二壳体转动；晶体提拉机构，所述晶体提拉机构固设于所述隔离室内且适于伸入所述拉晶室以用于提拉晶体，所述晶体提拉机构适于跟随所述第一壳体同步转动；保护气连接管，所述保护气连接管穿设于所述隔离室且连通至所述拉晶室，其中，所述第一壳体包括自上向下依次设置的第一上壳、导热壳体和第一下壳，所述导热壳体围绕所述坩埚组件设置且位于所述坩埚组件和所述加热组件之间，所述导热壳体的导热系数大于所述第一上壳和所述第一下壳的导热系数。

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