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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116083848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211219801.8，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器是由张思瑞;廖敏;周益春设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器，双层薄膜材料的制备方法包括：利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层；利用脉冲激光沉积技术，在单晶缓冲层上生长单晶铁电层，单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3；对样品进行降温处理，得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料。该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长，实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合，使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构，得到了铁电性能优异的双层薄膜结构，有利于实现电子设备的小型化。

本发明授权一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器在权利要求书中公布了：1.一种双层薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层，其中，所述单晶缓冲层的晶体取向为[001]，材料包括SrRuO3、PbTiO3、BaSnO3中的任一种，厚度为6～40nm；所述衬底的材料包括SrTiO3、MgO、GaScO3、NdScO3中的一种；S2、利用脉冲激光沉积技术，在所述单晶缓冲层上生长单晶铁电层，其中，所述单晶铁电层的晶体取向为[001]，材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3，厚度为6～40nm；S3、对样品进行降温处理，得到包括所述单晶缓冲层和所述单晶铁电层的双层薄膜材料。

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