恭喜济南大学黄金昭获国家专利权
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龙图腾网恭喜济南大学申请的专利一种电催化析氧催化剂及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115637459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210914772.0,技术领域涉及:C25B11/089;该发明授权一种电催化析氧催化剂及其制备方法是由黄金昭;丁殿金;徐锡金;侯配玉;汤军;张思璇设计研发完成,并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电催化析氧催化剂及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于电催化水分解领域,涉及一种电催化析氧催化剂及其制备方法。以FeNi合金、高纯C以及造孔金属作为靶材,采用共溅射法在基片表面制备造孔金属元素掺杂的FeNiC非晶合金薄膜,对造孔金属元素掺杂的FeNiC非晶合金薄膜进行真空蒸发处理,将造孔金属去除,获得纳米多孔结构的FeNiC非晶合金薄膜,将硫粉通过化学气相沉积法对纳米多孔结构的FeNiC非晶合金薄膜进行硫化处理,通过化学气相沉积法对硫化处理后的薄膜进行磷化处理,即得。本发明提供的电催化析氧催化剂具有成本低、稳定性高和效率高的优势。
本发明授权一种电催化析氧催化剂及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种电催化析氧催化剂的制备方法,其特征是,以FeNi合金、高纯C以及造孔金属Zn作为靶材,采用共溅射法在基片表面制备造孔金属元素Zn掺杂的FeNiC非晶合金薄膜,对造孔金属元素掺杂的FeNiC非晶合金薄膜进行真空蒸发处理,将造孔金属去除,获得纳米多孔结构的FeNiC非晶合金薄膜,将硫粉通过化学气相沉积法对纳米多孔结构的FeNiC非晶合金薄膜进行硫化处理,通过化学气相沉积法对硫化处理后的薄膜进行磷化处理,即得;其中,共溅射过程中,基片温度设置为250~350℃,溅射压强为1~3Pa,溅射时间为1~3h;真空蒸发处理中,真空度10-5~10-4Pa,加热电压为0.20~0.60V,加热时间为3~10min;硫化处理的温度为230~270℃;磷化处理的温度为280~320℃。
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