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龙图腾网恭喜SK恩普士有限公司申请的专利抛光垫用片材、抛光垫以及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114589618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478637.8，技术领域涉及：B24B37/22；该发明授权抛光垫用片材、抛光垫以及半导体器件的制造方法是由尹晟勋;金京焕;安宰仁;徐章源设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本抛光垫用片材、抛光垫以及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及抛光垫用片材、抛光垫以及半导体器件的制造方法。所述抛光垫用片材的特征在于包括作为抛光层附着表面的第一表面，和作为所述第一表面的背面的第二表面；针对所述第一表面，以下式1的值为5.63至7.27：[式1]在所述式1中，所述Sv是所述第一表面的最大凹陷高度粗糙度值，所述Sz是所述第一表面的最大高度粗糙度值，所述P是从所述抛光垫用片材切割宽度和长度分别为25mm大小的样品，然后在无负荷状态下使用千分表进行测量，然后以85g的标准重量加压30秒后测量第一厚度D1，在通过在所述标准重量上增加800g的重量而设置加压条件后经过3分钟后测量第二厚度D2，根据公式D1‑D2D1*100算出的压缩率％值。

本发明授权抛光垫用片材、抛光垫以及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光垫用片材，其中，包括：作为抛光层附着表面的第一表面，以及作为所述第一表面的背面的第二表面；针对所述第一表面，以下式1的值为5.63至7.27且以下式3的值为1.50至2.50：[式1] [式3] 在所述式1中，所述Sv是所述第一表面的最大凹陷高度粗糙度值，在所述式3中，所述Sa是所述第一表面的算术平均高度粗糙度值，在所述式1和所述式3中，所述Sz是所述第一表面的最大高度粗糙度值，所述P是从所述抛光垫用片材切割宽度和长度分别为25mm大小的样品，然后在无负荷状态下使用千分表进行测量，然后以85g的标准重量加压30秒后测量第一厚度D1，在通过在所述标准重量上增加800g的重量而设置加压条件后经过3分钟后测量第二厚度D2，根据公式D1-D2D1*100算出的压缩率％值。

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