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龙图腾网恭喜信利(惠州)智能显示有限公司申请的专利一种适用于TFT-LCD单屏幕测试光电参数的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113552737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110652743.7，技术领域涉及：G02F1/13；该发明授权一种适用于TFT-LCD单屏幕测试光电参数的测试方法是由黄广明设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于TFT-LCD单屏幕测试光电参数的测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于TFT‑LCD单屏幕测试光电参数的测试方法，TFT‑LCD单屏幕的测试点GATE、VCOM、VGG通过金属线或金属探针和电测夹具连接，TFT‑LCD单屏幕的SOURCEIC绑定位涂覆导电涂层后，导电涂层通过金属线或金属探针和电测夹具连接；电测夹具用于向GATE、VCOM、VGG和SOURCEIC输入不同波形的测试电压，本发明提供的测试方法能屏蔽VGG层所在的三极管对于TFT‑LCD单屏幕测试光电参数的影响。

本发明授权一种适用于TFT-LCD单屏幕测试光电参数的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于TFT-LCD单屏幕测试光电参数的测试方法，所述TFT-LCD单屏幕采用有源矩阵驱动方式，其特征在于：所述TFT-LCD单屏幕采用有源矩阵驱动方式，所述TFT-LCD单屏幕的显示单元像素点的等效电路包括源极和栅极；所述TFT-LCD单屏幕的测试点GATE、VCOM、VGG通过金属线或金属探针和电测夹具连接，所述TFT-LCD单屏幕的SOURCEIC绑定位涂覆导电涂层后，所述导电涂层通过所述金属线或所述金属探针和所述电测夹具连接；所述电测夹具用于向所述GATE、VCOM、VGG和所述SOURCEIC输入不同波形的测试电压；所述TFT-LCD单屏幕的VGG层所在的三极管包括MOS管，所述VGG和所述MOS管的栅极连接，所述GATE和所述MOS管的漏极连接，所述MOS管的源极和所述等效电路的栅极连接，所述SOURCEIC和所述等效电路的源极连接，通过所述SOURCEIC向所述等效电路输入电压。

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