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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011619886.X，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权半导体器件是由苏信文;林建隆;耿文骏;杨昌达;林士豪设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了一种半导体器件，包括形成于第一有源区上方的第一字线。在一些实施例中，第一金属线设置在第一字线上方并垂直于第一字线，其中第一金属线利用第一导电通孔电连接到第一字线，并且其中第一导电通孔设置在第一有源区上方。在一些示例中，半导体存储器器件还包括均平行于第一金属线并且设置在第一金属线的相对侧上的第二金属线和第三金属线，其中第二金属线利用第二导电通孔电连接到第一有源区的源极漏极区，并且其中第三金属线利用第三导电通孔电连接到第一有源区的源极漏极区。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一栅极结构，形成在第一有源区上方；第一金属线，设置在所述第一栅极结构上方并且垂直于所述第一栅极结构，其中，所述第一金属线利用第一导电通孔电连接到所述第一栅极结构，并且其中，所述第一导电通孔设置在所述第一有源区上方；以及第二金属线和第三金属线，均平行于所述第一金属线并且设置在所述第一金属线的相对侧上，其中，所述第二金属线利用第二导电通孔电连接到所述第一有源区的源极漏极区，并且其中，所述第三金属线利用第三导电通孔电连接到所述第一有源区的源极漏极区。

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