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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446769B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011229183.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体器件的制备方法是由夏军;白世杰设计研发完成，并于2020-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制备方法，如下步骤：提供衬底，于所述衬底上形成具有多个第一窗口的掩膜层；形成介质层，介质层至少覆盖第一窗口的侧壁；形成第一光阻材料层，第一光阻材料层覆盖介质层及掩膜层，且填充第一窗口；图形化第一光阻材料层，形成具有图案的第一光阻层，暴露出介质层的顶面；以第一光阻层及掩膜层为掩膜，去除介质层，形成第二窗口；沿第二窗口去除所述衬底，形成图形化的衬底。本发明优点是，第一光阻材料层的材料特性使得在第一光阻材料层被图形化的过程中，第一光阻材料层需要被保留的部分并未破坏，衬底表面并未被暴露，则在后续形成图形化的衬底的过程中，衬底并未被损坏，大大提高了半导体器件的良率。

本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，于所述衬底上形成具有多个第一窗口的掩膜层，在所述掩膜层的不同区域，所述第一窗口的开口率不同，边缘区域的所述开口率大于非边缘区域的所述开口率；形成介质层，所述介质层至少覆盖所述第一窗口的侧壁；形成第一光阻材料层，所述第一光阻材料层覆盖所述介质层及所述掩膜层，且填充所述第一窗口，所述边缘区域的所述第一光阻材料层的高度小于所述非边缘区域的所述第一光阻材料层的高度；图形化所述第一光阻材料层，形成具有图案的初级光阻层，所述初级光阻层填充所述第一窗口，并覆盖部分所述介质层的顶面；对所述初级光阻层进行修正，形成第一光阻层，所述第一光阻层暴露出所述介质层的顶面；以所述第一光阻层及所述掩膜层为掩膜，去除所述介质层，形成第二窗口；沿所述第二窗口去除部分所述衬底，形成图形化的衬底。

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