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龙图腾网恭喜西交利物浦大学申请的专利一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110061061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910291849.1，技术领域涉及：H01L29/786；该发明授权一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法是由赵天石;赵春;赵策洲;杨莉设计研发完成，并于2019-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法，包括衬底、电极、绝缘层和半导体层；所述电极分为栅电极、源电极和漏电极；所述衬底上设置有绝缘层；所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极；所述绝缘层上设置有半导体层；所述半导体层上设置有源电极和漏电极；具体步骤：1）清洗衬底；2生长栅电极；3）栅电极图案化；4）衬底亲水性处理；5）制备纳米簇材料；6）生长纳米簇绝缘层；7）生长半导体层。本发明半导体层的结合能较高，比较稳定，具有很高的抗偏压、抗辐射特性；制备中通过深紫外退火，起到提高整个器件性能、匹配柔性衬底温度的作用；本工艺流程具有工艺简单、可在空气中低退火温度下进行的优点，生产成本较低。

本发明授权一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管的制备方法：其特征在于：具体制备步骤包括：1）清洗衬底：将衬底先用丙酮溶液超声清洗15-25min，再用乙醇溶液超声清洗15-25min，最后去离子水冲洗，氮气吹干；2生长栅电极：在衬底上利用正胶光刻工艺匀胶、图案化显影后，用电子束蒸发工艺先在衬底上以0.8-1.2Ås的速率生长45-55nm厚的Au作为栅电极；3）栅电极图案化：将生长电极后的器件置入丙酮溶液中超声清洗25-35秒后，置入无水乙醇溶液中浸泡4.5-5.5分钟，随后用去胶液浸泡4.5-5.5分钟、超声清洗0.5-1.5分钟，去掉非保留部分的栅电极；4）衬底亲水性处理：将生长了图案化栅电极后的衬底置入紫外灯下，以90%的254nm波长和10%的183nm波长的紫外光在室温下照射1小时；其中90%和10%为占总光强的比例，总光强为3mWcm2；5）制备纳米簇材料：将硝酸铝九水合物与四氯化铪以1.0molL的浓度溶解于20mL去离子水中，得到溶液Ⅰ；将1.13g纳米锌粉加入溶液Ⅰ中，并搅拌23-25小时，得到溶液Ⅱ；将溶液Ⅱ通过滤纸过滤至培养皿中，并放在通风处内进行沉淀，得到沉积物Ⅲ；将沉积物Ⅲ以99.9%异丙醇溶液冲洗，洗去表面残余的铝、锌、铪盐，得到Hf-Al纳米簇盐；6）生长纳米簇绝缘层：将所得的Hf-Al纳米簇盐以0.06molL的浓度溶于添加7.5molL过氧化氢的去离子水中，并在阴暗处超声清洗15分钟，得到HfAlO纳米簇前驱体溶液Ⅳ；将溶液以喷涂于衬底之上，并在90%的253.7nm波长与10%的184.9nm波长的紫外线灯照射下，其中90%和10%为占总光强的比例，总光强为3mWcm2，以60℃的温度退火一个小时；层厚度为55nm；7）生长半导体层：将ZnCH3COO2与SnCl4分别以0.1molL与0.15molL的浓度溶于去离子水中得到前驱体溶液Ⅴ，然后将溶液搅拌5-7小时后喷涂于纳米簇绝缘层之上，并在90%的253.7nm波长与10%的184.9nm波长的紫外线灯照射下，其中90%和10%为占总光强的比例，总光强为3mWcm2，以60℃的温度退火一个小时成膜；层厚度为8-12nm。

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