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龙图腾网恭喜财团法人工业技术研究院;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110459531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810908711.7，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权芯片封装结构及其制造方法是由游政煌;王泰瑞;冯捷威;郑惟元设计研发完成，并于2018-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种芯片封装结构及其制造方法，所述芯片封装结构包括重分布线路结构层、至少一芯片及封装胶体。重分布线路结构层包括至少一重分布线路、电连接重分布线路的至少一晶体管以及电连接重分布线路与晶体管的多个导电通孔。芯片设置于重分布线路结构层上，且与重分布线路结构层电连接。封装胶体设置于重分布线路结构层上，且至少包覆芯片。另提供一种芯片封装结构的制造方法。

本发明授权芯片封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：重分布线路结构层，所述重分布线路结构层具有彼此相对的第一侧与第二侧，并且所述重分布线路结构层包括：至少一重分布线路，所述至少一重分布线路包括位于所述第一侧的第一重分布线路；至少一晶体管，所述第一重分布线路在所述至少一晶体管的周围，所述至少一晶体管位于所述第一侧并且电连接所述第一重分布线路；及多个导电通孔，电连接所述至少一重分布线路与所述至少一晶体管；至少一芯片，设置于所述重分布线路结构层的所述第一侧上，且所述至少一芯片通过位于所述第一侧上的开孔与所述第一重分布线路电连接；以及封装胶体，设置于所述重分布线路结构层上，且至少包覆所述至少一芯片，其中，所述重分布线路结构层还包括多个介电层，所述多个介电层其中的一个包括依序堆叠的第一介电子层、第二介电子层以及第三介电子层，而所述至少一晶体管位于所述多个介电层中，且所述至少一晶体管包括：半导体材料层，位于所述第二介电子层中；金属材料层，位于所述第三介电子层中，其中，所述至少一晶体管的所述半导体材料层相较于所述金属材料层更靠近所述第一侧；以及导电材料层，所述导电材料层的第一部分贯穿所述第三介电子层与所述第二介电子层而连接至所述半导体材料层，且所述导电材料层的所述第一部分环绕所述金属材料层，所述导电材料层的第二部分贯穿所述第三介电子层而连接至所述金属材料层，所述至少一晶体管包括静电放电防护晶体管或开关控制晶体管。

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