恭喜上海铭锟半导体有限公司杨荣获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海铭锟半导体有限公司申请的专利包含衬底背面反射层的光栅耦合器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221686681U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323594869.7，技术领域涉及：G02B6/34；该实用新型包含衬底背面反射层的光栅耦合器是由杨荣;王庆;余明斌设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含衬底背面反射层的光栅耦合器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种包含衬底背面反射层的光栅耦合器，包括：SOI衬底，SOI衬底的顶硅层形成硅波导光栅，所述硅波导光栅由上方氧化层和下方SOI衬底的埋氧化层包裹；所述SOI衬底背面设有一层反射层。本实用新型提出的光栅耦合器结构和工艺较为简单，器件性能一致性较好，成本低廉，并且同CMOS工艺良好兼容。
本实用新型包含衬底背面反射层的光栅耦合器在权利要求书中公布了：1.包含衬底背面反射层的光栅耦合器，其特征在于，包括：SOI衬底，SOI衬底的顶硅层形成硅波导光栅，所述硅波导光栅由上方氧化层和下方SOI衬底的埋氧化层包裹；所述SOI衬底背面设有一层反射层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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